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www.rohm.com
?2011
ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB051M-2Y
?Applications
?Dimensions(Unit : mm)
??Land size figure(Unit : mm)
General rectification
?Features
1)Small power mold type.（PMDU）
2)Ultra Low VF
3)High reliability
?Construction
Silicon epitaxial planer
?Structure
?Taping specifications(Unit : mm)
?Absolute maximum ratings(Ta=25?C)
Parameter LimitsSymbol Unit
Reverse voltage (repetitive) 20VRM
V
Reverse voltage (DC) 20VR
V
Average rectified forward current(*1) 3Io A
IFSM
A
Junction temperature 125Tj
?C
Storage temperature -40 to +125Tstg
?C
?Electrical characteristics(Ta=25?C)
Parameter ConditionsSymbol Min. Typ. Max. Unit
Forward voltage
VF
- - 0.46 V
IF=3A
Reverse current
IR
- - 0.9 mA
VR=20V
(*1)Mounting on alumina board. Tc=95?C　Max.
Forward current surge peak （60Hz?1cyc）
30
PMDU
1.2
3.05
0.85
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
1.81±0.1
4.0±0.1 φ1.0±0.1
3.5±0.05 1.75±0.1
8.0±0.2
0.25±0.05
1.5MAX
3.71±0.1
1/3
2011.05 - Rev.C
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